3月27日消息,根据《华尔街日报》的报导,韩国存储芯片大厂SK海力士计划投资约40亿美元在美国印第安纳州西拉斐特建造一座先进芯片封装厂,并计划于2028年投产。
报道援引据知情人士的消息报道称,SK海力士董事会预计很快就会批准这一决定,此举将推动美国政府恢复美国半导体制造大国领先地位的雄心,芯片封装厂完成之后,将可为当地创造约800~1000个新工作职缺。
根据公开数据显示,SK海力士计划兴建的封装厂将毗邻普渡大学。普渡大学是美国最大的半导体和微电子工程计划之一的所在地。消息人士称,SK海力士还曾考虑过亚利桑那州,因为亚利桑那州已经有台积电和英特尔都在该地设立了晶圆厂。但考虑到能够就由普渡大学获得半导体工程师人才库的优势,SK海力士最终选择了印第安纳州。
对此传闻,SK海力士在一份声明中表示,公司正审查其在美国投资先进芯片封装的计划,但尚未作出决定。
此前的报导指出,先进封装是拜登政府芯片法(U.S. Chips Act)重视的其中一环。根据研究机构SemiAnalysis的说法,SK海力士的工厂有望成为全美第一座HBM大规模封装厂。SemiAnalysis最新估计,SK海力士的HBM位市占约为73%,三星电子(Samsung Electronics)居次、达22%,而美光(Micron)排名第三、约为5%。
编辑:芯智讯-林子
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